専用装置
数値制御プラズマCVM装置
局所的に発生させた大気圧プラズマを用いたエッチング装置です。ワークテーブルの数値制御走査によりナノメータ精度の形状加工ができます。
プラズマ援用研磨装置
プラズマの照射による表面改質と軟質砥粒による改質層の除去により、3インチサイズのSiC, GaN, サファイアウエハを高能率かつダメージフリーにドライ研磨できます。
電気化学機械研磨装置
導電性の硬脆基板に対する基礎的な電気化学機械研磨特性を調べる装置です。電解液に対する基板の電位は三電極型のポテンショスタットにより制御しています。
走査型白色顕微干渉計
顕微干渉型の非接触三次元光学表面プロファイラーです。基板の表面粗さをサブオングストロームの再現性で測定できます。
原子間力顕微鏡
試料表面の凹凸構造を原子レベルで観察することが可能なプローブ顕微鏡です。
ナノサーチ顕微鏡
光学顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡を1台に集約した複合型顕微鏡です。観察ターゲットの同一ポイントをミリメータからナノメータのスケールまでシームレスに観察できます。
レーザープローブ三次元測定装置
高さ測定用のレーザオートフォーカス顕微鏡と高精度XYZステージから構成される非接触三次元形状測定装置で、Z分解能1 nmの高精度タイプとZ分解能10 nmの大型試料対応タイプの2機種を所有しています。
真円度・円筒形状測定機
円筒形状の真円度を測定する機器です。
ナノインデンター
試料の極表面層、薄膜、高分子材料の硬度やヤング率を測定する機器です。
非接触原子間力顕微鏡
試料表面の凹凸構造を原子レベルで観察することが可能なプローブ顕微鏡です。プローブ先端が試料表面に全く接触せず、かつ、絶縁性の試料表面でも観察可能であるという特徴があります。
表面処理一体型・電気特性測定装置
超高真空雰囲気下で、半導体表面に吸着するガス分子の量を分子層レベルで制御することができます。また、その上にデバイス構造を構築することにより、吸着したガス分子が電子デバイスに与える影響を明らかにします。
熱酸化装置
赤外線ランプを用いて、高純度の酸素ガス雰囲気中で半導体ウエハを熱処理する装置です。本装置を用いることにより、デバイスグレードかつナノメートルオーダーの厚さの酸化膜をウエハ全域に一様に形成することができます。
ドラフトチャンバー
化学薬品を扱う際に有害な反応気体や揮発性物質を排気しながら実験するための装置。
共用装置
X線光電子分光分析装置
試料表面にＸ線を照射し、試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを計測することで、試料表面を構成する元素の組成、化学結合状態を分析する装置です。
走査電子顕微鏡
電界放出型の電子銃を搭載した高分解能タイプの走査電子顕微鏡で試料の表面構造を観察できます。エネルギー分散型X線分析装置（EDX）が付属しているため、試料上の元素マッピングが可能です。
集束イオンビーム加工装置
集束したイオンビームを試料に照射し、微細加工や観察、断面TEM（XTEM）用試料を作製する装置です。
透過型電子顕微鏡
加速、集束した電子線を試料に照射し、透過した電子の拡大投影による構造観察や、電子回折による結晶構造の解析ができます。
走査型トンネル顕微鏡
超高真空型の走査型トンネル顕微鏡です。クリーンルーム内に設置されているという特徴を活かして、加工プロセスやウェット洗浄を経た半導体表面の原子配列を調査する目的で使用されています。
フーリエ変換赤外分光光度計
赤外線の吸収スペクトルを測定することにより、試料の化学結合種を分析します。特殊なプリズムを用いることによって、試料最表面の状態（汚染、酸化膜、マイクロラフネス）を高感度で検出することができます。
昇温脱離ガス分析装置
超高真空中で試料を加熱し、真空中に放出される原子や分子をイオン化します。その質量数や数密度を計測することにより、試料表面に存在する吸着種や結合力を評価することができます。
