本論文では、単結晶ダイヤモンド (SCD) 基板のプラズマ援用研磨 (PAP) における原子除去機構を、ReaxFF 分子動力学シミュレーションを用いてあきらかにしています。比較のため、Oラジカル照射の有無、およびO原子の酸化作用を考慮しない場合の研磨シミュレーションを行いました。 その結果、Oラジカルを照射すると、Si-O-C結合の生成とSCD表面におけるC-C結合の弱体化により、照射しない場合と比べてSCDの材料除去率(MRR)が大きくなる結果が得られ、PAPにおけるOラジカル照射の有用性が示されました。