本論文では熱フィラメントCVDにより成膜されたPCD基板に対してAr+O2をプロセスガスとするICPプラズマを照射することで、異方性エッチング現象によりピラミッド状の突起形状を有する成膜面を高能率に平滑化（plasma-AEP: plasma-based anisotropic etching polishing）し、後工程の仕上げ研磨時間を大幅に短縮することに成功しています。また、ReaxFFシミュレーションを用いて異方性エッチング現象とピラミッド型突起形状の平滑化の相関を考察し、低配位数のC原子が優先的にエッチングされることで平滑化が進行することを明らかにしました。8mm角のPCD基板（Sa 15.8 μm, Sz 124.9 μm）に対して205秒間のplasma-AEPと10時間の紫外線照射を援用した機械的研磨を実施することにより、Sa 3.４nmの表面粗さと0.1 μm以下の平坦度を得ました。