表面創成プロセスを経た半導体実用表面の原子構造観察
ウルトラクリーン洗浄技術と走査型トンネル顕微鏡観察を組み合わせることにより、半導体表面に対する
・ウェット洗浄特性
・超精密加工特性
・表面ダングリングボンドのパッシベーション特性
を原子レベルで可視化することができます。
ウルトラクリーン洗浄技術と走査型トンネル顕微鏡観察を組み合わせることにより、半導体表面に対する
・ウェット洗浄特性
・超精密加工特性
・表面ダングリングボンドのパッシベーション特性
を原子レベルで可視化することができます。